• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інтелектуальних інформаційних технологій та автоматизації
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інтелектуальних інформаційних технологій та автоматизації
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера

Author
Лисенко, Геннадій Леонідович
Тужанський, Станіслав Євгенович
Лысенко, Геннадий Леонидович
Тужанский, Станислав Евгеньевич
Lysenko, Hennadii Leonidovych
Tuzhanskyi, Stanislav Yevhenovych
Date
2005-08-15
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інтелектуальних інформаційних технологій та автоматизації [330]
Abstract
Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера, що включає регулювання режиму тепловиділення в активній області лазера внаслідок накачування його імпульсами струму. Величину струму на протязі імпульсу змінюють за лінійним або за експоненційним законом з позитивним знаком другої похідної струму за часом. Величину тепловиділення регулюють одночасно змінюючи глибину модуляції частоти відповідного імпульсу, причому останню змінюють адаптивно для кожного окремого імпульсу в залежності від температури кристалу у відповідний момент після проходження імпульсу струму.
 
Предлагаемый способ стабилизации частоты излучения инжекционного полупроводникового лазера предполагает регулирование выделения тепла в активной области лазера с помощью изменения амплитуды импульсов тока накачки лазера в соответствии с линейной или экспоненциальной характеристикой и положительной обратной связью по производной токового сигнала. Способ отличается тем, что одновременно с изменением амплитуды импульсов тока накачки изменяют глубину частотной модуляции импульсов тока в зависимости от температуры кристалла лазера.
 
The proposed method for stabilizing frequency of an injection semiconductor laser implies controlling heat evolution in the active zone of the laser by varying the pumping current of the laser according to a linear or exponential characteristic and with positive current signal feedback. The method is distinctive by varying the frequency modulation depth of the pumping current pulses depending on the temperature of the laser crystal simultaneously with varying the amplitude of the current pulses.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2513
View/Open
8496.pdf (129.0Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ