Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі

dc.contributor.author	Філинюк, М. А.	uk
dc.contributor.author	Молчанов, П. А.	uk
dc.contributor.author	Войцеховська, О. В.	uk
dc.date.accessioned	2020-12-08T12:14:48Z
dc.date.available	2020-12-08T12:14:48Z
dc.date.issued	1997
dc.identifier.citation	Філинюк М. А. Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі [Текст] / М. А. Філинюк, П. А. Молчанов, О. В. Войцеховська // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1997. – № 2. – С. 86-88.	uk
dc.identifier.uri	http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31003
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	Технологічний університет Поділля	uk
dc.title	Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі	uk
dc.type	Article
dc.identifier.udc	621.317
dc.identifier.udc	Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. № 2 : 86-88.	uk