• English
    • русский
    • українська
  • English 
    • English
    • русский
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Дуда, Роман Валерійович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Дуда, Роман Валериевич
Osadchyk, Volodymyr Stepanovych
Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych
Duda, Roman Valeriiovych
Date
2014-07-25
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем [614]
Abstract
Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою. Додатково введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної напруги.
 
Устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках содержит источник света и эпитаксиальную структуру, которые последовательно соединены между собой. Дополнительно введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит фоторезистор, первый и второй резисторы, первый и второй полевые транзисторы, биполярный транзистор, первый и второй конденсаторы и источник постоянного напряжения.
 
A device for the determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors includes a light source and epitaxial layer that are connected to each other in sequence. Additionally it comprises a unit for signal processing and indication, microelectronic frequency converter, which includes a photo-resistor, first and second resistors, first and second field transistors, bipolar transistor, first and second capacitors and DC power source.
 
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/317
View/Open
91869.pdf (200.4Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by RL Igniter | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ