Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Abstract

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою. Додатково введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної напруги.

Устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках содержит источник света и эпитаксиальную структуру, которые последовательно соединены между собой. Дополнительно введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит фоторезистор, первый и второй резисторы, первый и второй полевые транзисторы, биполярный транзистор, первый и второй конденсаторы и источник постоянного напряжения.

A device for the determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors includes a light source and epitaxial layer that are connected to each other in sequence. Additionally it comprises a unit for signal processing and indication, microelectronic frequency converter, which includes a photo-resistor, first and second resistors, first and second field transistors, bipolar transistor, first and second capacitors and DC power source.