| dc.contributor.author | Осадчук, Володимир Степанович | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Олександр Володимирович | uk |
| dc.contributor.author | Білилівська, Ольга Петрівна | uk |
| dc.contributor.author | Ющенко, Юрій Андрійович | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Владимир Степанович | ru |
| dc.contributor.author | Осадчук, Александр Владимирович | ru |
| dc.contributor.author | Билиливская, Ольга Петровна | ru |
| dc.contributor.author | Ющенко, Юрий Андреевич | ru |
| dc.contributor.author | Osadchuk, Volodymyr Stepanovych | en |
| dc.contributor.author | Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych | en |
| dc.contributor.author | Bilylivska, Olha Petrivna | en |
| dc.contributor.author | Yuschenko, Yurii Andriiovych | en |
| dc.date.accessioned | 2015-04-09T09:42:02Z | |
| dc.date.available | 2015-04-09T09:42:02Z | |
| dc.date.issued | 2012-06-25 | |
| dc.identifier | 70968 | |
| dc.identifier.citation | Пат. 70968 UA, МПК H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06. Мікроелектронний сенсор магнітного поля [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. П. Білилівська, Ю. А. Ющенко (Україна). - № u201200229 ; заявл. 06.01.2012 ; опубл. 25.06.2012, Бюл. № 12. - 5 с. : кресл. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/492 | |
| dc.description.abstract | Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність та ємність. Як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор. | uk |
| dc.description.abstract | Микроэлектронный сенсор магнитного поля, который содержит двухстоковый магниточувствительный МОП-транзистор, источник постоянного напряжения, два резистора, общую шину и две выходных клеммы. Введены двухзатворный МОП-транзистор, индуктивность и емкость. В качестве двухстокового магниточувствительного МОП-транзистора использован двухстоковый двухзатворный магниточувствительный МОП-транзистор. | ru |
| dc.description.abstract | A microelectronic magnetic field sensor comprises a two-drain magnetic field sensitive MOS-transistor, a DC power supply, two resistors, a common bus and two output terminals. A dual-gate MOS-transistor, an inductance and a capacitor are introduced. The two-drain duel-gate magnetic field sensitive MOS-transistor is used as duel-drain magnetic field sensitive MOS transistor. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ) | uk |
| dc.subject | H01L 29/82 | |
| dc.subject | H01L 43/00 | |
| dc.subject | G01R 33/06 | |
| dc.subject | контрольно-вимірювальна техніка | uk |
| dc.subject | мікроелектронний сенсор | uk |
| dc.subject | сенсор магнітного поля | uk |
| dc.title | Мікроелектронний сенсор магнітного поля | uk |
| dc.title.alternative | Микроэлектронный сенсор магнитного поля | ru |
| dc.title.alternative | Microelectronic magnetic field sensor | en |
| dc.type | Other | |
