• English
    • русский
    • українська
  • русский 
    • English
    • русский
    • українська
  • Войти
Просмотр элемента 
  • Главная
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Просмотр элемента
  • Главная
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Просмотр элемента
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом

Автор
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Барабан, Сергій Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Барабан, Сергей Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Baraban, Serhii Volodymyrovych
Дата
2009-06-10
Metadata
Показать полную информацию
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [625]
Аннотации
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. Введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий конденсатор.
 
Микроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементом содержит полевой транзистор, конденсатор, резистор, первый и второй источники напряжения, общую шину. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. Введены два биполярных транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, второй конденсатор.
 
Microelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric element includes field transistor, capacitor, resistor, first and second power sources, common bus. To gate of field transistor film of pyroelectric is sputtered, and radiation absorber. Two bipolar transistors are included, with sputtered on base film of pyro-electric and radiation absorber, second capacitor.
 
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2599
Открыть
41856.pdf (162.5Kb)

Институционный репозитарий

ГлавнаяПоискСправкаКонтактыО нас

Ресурсы

JetIQСайт библиотекиСайт университетаЭлектронный каталог ВНТУ

Просмотр

Весь DSpaceСообщества и коллекцииДата публикацииАвторыНазванияТематикаТипИздательствоЯзыкУДКISSNИздательства, что имеетDOIЭта коллекцияДата публикацииАвторыНазванияТематикаТипИздательствоЯзыкУДКISSNИздательства, что имеетDOI

Моя учетная запись

ВойтиРегистрация

Статистика

Просмотр статистики

ISSN 2413-6360 | Главная | Отправить отзыв | Справка | Контакты | О нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ